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一种电子元器件温度冲击试验装置及测试方法

摘要

本发明公开了一种电子元器件温度冲击试验装置及测试方法,包括:试验箱,包括箱体和箱门,箱体内空间由隔板分隔成低温试验箱和高温试验箱,并且,在隔板上设有进出口;伸缩冲击机构,包括第一驱动机构和冲击杆,第一驱动机构可驱动冲击杆通过进出口,冲击杆的端部设有测试工装;伸缩隔断机构,包括第二驱动机构和伸缩板,伸缩板上条形开口;液氮制冷机构,包括液氮罐和液氮管,液氮管的一端与所述液氮罐连接,另一端延伸到低温试验箱内;石墨烯制热机构,包括若干排列于高温试验箱的内壁面石墨烯加热板。本发明能够为电子元器件提供(‑190~200)℃范围温度冲击的试验温场和冲击条件,提高了常规的温度冲击范围,加大了对元器件的温度性能考核力度。

著录项

  • 公开/公告号CN113933200A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 贵州航天计量测试技术研究所;

    申请/专利号CN202111201234.9

  • 发明设计人 付杰;余辛波;黄贤武;

    申请日2021-10-15

  • 分类号G01N3/60(20060101);G01N3/02(20060101);

  • 代理机构52100 贵阳中新专利商标事务所;

  • 代理人张行超

  • 地址 550009 贵州省贵阳市小河区红河路7号

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

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