一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法

摘要

本发明涉及一种军用IGBT模块瞬态参数和寄生参数仿真方法，包括：a、在Designer model建立IGBT模块多层结构的几何模型，所述几何模型包括DBC基板、芯片、铜底板、端子和引线；b、将所述几何模型导入Transient Thermal模块，计算所述IGBT模块开通过程的瞬态温度场，并提取开通时的瞬态热阻和稳态热阻；c、将Transient Thermal模块的温度场仿真结果导入Transient Structural模块，计算所述IGBT模块开通时的热应力场变化；d、将所述几何模型导入Q3D Extractor模块，计算所述IGBT模块开通过程的DBC基板上下铜层间的寄生电容，以及模型各节点的寄生电感。通过解析开通和关断过程的IGBT模块的响应，对瞬态参数和寄生参数进行仿真，为IGBT模块开通和关断的性能研究快速、准确提取关键参数。