一种基于导模法的β-Ga2O3单晶生长方法

摘要

本发明公开了一种基于导模法的β‑Ga2O3单晶生长方法，其包括：提供板状籽晶，所述板状籽晶的X射线衍射摇摆曲线峰的半高全宽小于100弧秒；使所述板状籽晶与模具缝上的氧化镓熔体接触；提拉所述板状籽晶使β‑Ga2O3单晶生长。本发明通过优选X射线衍射摇摆曲线峰的半高全宽小于100弧秒的板状籽晶，保证了生长出来的氧化镓单晶质量；通过使用横截面积较大的板状籽晶，省略了宽度和厚度方向的放肩过程，有效的抑制了晶体生长过程中多晶的产生。