基于改进水热法的Ga2O3纳米棒制备及表征

摘要

采用改进的水热法对衬底进行预处理,分别在单晶硅Si(111)和蓝宝石C(0001)衬底上生长一层Ga2O3籽晶层.籽晶层退火处理后放入Ga2(NO3)3溶液高压反应釜内进行水热反应,待反应结束进行二次退火,成功制备出了Ga2 O3纳米棒.研究了不同温度对籽晶层和Ga2 O3纳米棒的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等对样品进行表征.结果表明:生长β-Ga2O3纳米棒的最佳衬底是蓝宝石C(0001),籽晶层的最佳生长温度为900°C;在籽晶层引导下β-Ga2O3纳米棒向β(201)、β(402)、β(603)三个晶面生长,且随温度升高,结晶质量提高.最后,讨论了纳米棒的形成机理及所需环境.