公开/公告号CN113913939A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利号CN202111065459.6
申请日2021-09-10
分类号C30B29/42(20060101);C30B11/00(20060101);C30B33/02(20060101);
代理机构53114 昆明祥和知识产权代理有限公司;
代理人和琳
地址 650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
入库时间 2023-06-19 13:52:41
机译: 低蚀刻坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片
机译: 制造半绝缘砷化镓晶片和半绝缘砷化镓晶片的方法
机译: 制备半绝缘砷化镓晶片的方法和半绝缘砷化镓晶片