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一种极低温度下材料半球发射率测试装置与方法

摘要

本发明提供一种极低温度下材料半球发射率测试装置与方法,能测试深空探测、航天领域中的半球发射率。该装置包括热平衡绝热腔、真空制冷系统、样品稳态控制系统和数据采集系统;热平衡绝热腔包括腔体、回温加热器和多个腔体温度传感器,腔体包括真空外腔和绝热内腔,样品容纳于内腔中;真空制冷系统包括与绝热内腔相连通的低温制冷部分和与真空外腔和绝热内腔相连通的无油抽真空部分;样品稳态控制系统包括样品加热器以及样品温度传感器;数据采集系统包括与腔体温度传感器和回温加热器相连的温度控制器、与腔体温度传感器和样品温度传感器相连的温度监控器、与样品加热器相连的电流源表、与样品加热器相连的电压表以及与上述器件相连的计算机。

著录项

  • 公开/公告号CN113916931A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN202010645849.X

  • 发明设计人 章俞之;吴岭南;马佳玉;宋力昕;

    申请日2020-07-07

  • 分类号G01N25/20(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲;姚佳雯

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2023-06-19 13:52:41

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