GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法

摘要

本公开提供了GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法，属于半导体制作领域。将n‑GaN衬底上的第一分布式布拉格反射镜设置为包括非掺杂的AlN/GaN超晶格结构，反射率较高，质量也较好，提高出光率。另一方面将第二分布式布拉格反射镜设置在量子阱有源层与p‑GaN欧姆接触层之间，释放应力，抑制载流子溢出，同时降低空穴势垒高度有利于空穴传输，以改善器件性能。整体可以有效提高得到的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器的质量与出光效率，保证GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器的稳定使用。