一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法

摘要

本发明公开了一种高发光量子效率MoS2量子点的制备方法，基于铝离子插层辅助的溶剂热制备方法来剥离MoS2粉末，制备的MoS2量子点尺寸均一，发光量子效率能达到7.5%，极大地提高了MoS2量子点的光致发光量子效率。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分结合铝离子插层剂和溶剂热对MoS2粉末的剥离效应，有效提高了MoS2量子点的剥离效率和发光量子产率。

说明书

技术领域

本发明属于半导体纳米材料与器件领域，具体涉及一种高发光量子效率二硫化钼量子点的制备方法。

背景技术

二硫化钼（MoS

虽然对MoS

发明内容

针对现有制备MoS

本发明采用如下技术方案实现：一种基于铝离子插层的溶剂热法制备高发光量子效率MoS

（1）将MoS

（2）将步骤（1）所获溶液转移至反应釜中，放入烘箱，利用反应釜高温高压的水热反应使MoS

（3）反应完成后冷却至室温，将反应液多次离心清洗，取上清液；

（4）将步骤（3）获得的溶液用微孔滤头进行过滤，除去大颗粒大尺寸MoS

（5）利用旋蒸仪除去MoS

进一步，所述步骤（1）中MoS

进一步，所述步骤（1）所得溶液中铝离子插层剂的浓度为750μM。

进一步，所述步骤（2）中水热反应的温度为180-200℃，时间为12h。

进一步，所述步骤（4）中微孔滤头的尺寸为0.22μm。

本发明所述的制备方法制得的高发光量子效率MoS

本发明的技术要点如下：铝离子存在于超声、溶剂热等处理过程，有效的插入MoS

在本发明中采用了金属铝离子插层辅助溶剂热法从MoS

与现有技术相比，本发明的有益效果有：

1. 制备方法简单，易于操作，安全无毒，可便于大批量生产，利于工业化。

2. MoS

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会清晰地对本发明有更完整的理解，并且更容易地理解本发明的优点和特征，其中：

图1是本发明实施例1制备的MoS

图2是实施例1制备的MoS

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

本实施例的高发光量子效率MoS

第一步骤,将20 mg MoS

第二步骤，将超声后的溶液转移至反应釜（50 mL）中，放入烘箱，在200℃的条件下反应12小时，反应完成后冷却至室温。

第三步骤，将反应液用10000 rpm离心10分钟，取上清液，反复清洗三次。

第四步骤，将第三步骤清洗多次获取的上清液用0.22μm的微孔滤头进行过滤。得到淡黄色的MoS

第五步骤，将第四步获取的溶液利用旋蒸仪除去大量的DMF溶剂，未完全干掉的样品置入真空干燥箱中在60℃下烘干，得到淡黄色的MoS

MoS

实施例2

调整AlCl

表1：MoS

表1是MoS

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。