首页> 中国专利> 一种石墨烯纳米带水平阵列及其制备方法和应用

一种石墨烯纳米带水平阵列及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种石墨烯纳米带水平阵列及其制备方法和应用。所述方法包括:提供氧化锆基底;以乙醇为原料,铁纳米粒子作为催化剂,通过化学气相沉积的方法,在氧化锆基底表面制备得到单壁碳纳米管水平阵列;在真空和高温条件下,将制得的单壁碳纳米管水平阵列与氧化锆基底在界面处发生可控的原子级碳热还原反应,从而制得石墨烯纳米带水平阵列。本发明方法充分发挥碳热还原反应的优势,通过精确控制反应程度,实现单壁碳纳米管向石墨烯纳米带的可控转变,从而有效解决了石墨烯纳米带水平阵列难以制备的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN113788474A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 航天特种材料及工艺技术研究所;

    申请/专利号CN202111299976.X

  • 申请日2021-11-04

  • 分类号C01B32/184(20170101);C01B32/162(20170101);C01B32/168(20170101);

  • 代理机构11609 北京格允知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘晓

  • 地址 100074 北京市丰台区云岗北里40号院

  • 入库时间 2023-06-19 13:43:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-17

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号