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公开/公告号CN113793841A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥工业大学;
申请/专利号CN202111090202.6
发明设计人 王佳宁;王琛;於少林;刘元剑;
申请日2021-09-16
分类号H01L23/498(20060101);H01L23/367(20060101);
代理机构34118 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王挺
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2023-06-19 13:41:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-28
授权
发明专利权授予
机译: 并联连接的功率半导体元件的协同控制方法,电流平衡控制装置及功率模块
机译: 并联连接的功率半导体元件的协作控制方法,电流平衡控制装置以及功率模块
机译: 并联,电流平衡控制装置和功率模块中连接的功率半导体元件的协同控制方法
机译:用于缓解SiC MOSFET多芯片功率模块中电流不平衡的新颖DBC布局
机译:用于多兆瓦功率模块并联运行的多相腿耦合电流平衡器
机译:抑制并联碳化硅MOSFET的瞬态电流不平衡的芯片分类
机译:电路失配和电流耦合效应对多芯片功率模块中并联SiC MOSFET的影响
机译:芯片附着在基板上期间beol / fbeol区域的多目标设计优化。
机译:SiC微型加热器芯片系统和Ag烧结连接法测量各种陶瓷DBC基板上功率模块的散热和热稳定性
机译:mW级IGBT功率模块内并联芯片电流不平衡的综合研究
机译:siC多芯片功率模块开发的最新进展