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一种低介电常数形状记忆聚苯乙烯及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种低介电常数形状记忆聚苯乙烯及其制备方法和应用,属于形状记忆聚合物技术领域。包括以下步骤:将苯乙烯、丙烯酸酯、多乙烯基交联剂和自由基引发剂混合进行自由基无规共聚反应,得到所述低介电常数形状记忆聚苯乙烯,所述多乙烯基交联剂包括八乙烯基八硅倍半氧烷。本发明采用八乙烯基八硅倍半氧烷(OVS)这种具有大体积的八官能度的有机分子作为交联剂,可以有效地降低形状记忆聚苯乙烯材料的介电常数,实现形状记忆性能和低介电性能的兼容,能够满足智能电子器件对低介电常数封装树脂的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN113773454A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN202111133139.X

  • 申请日2021-09-27

  • 分类号C08F283/12(20060101);C08F212/08(20060101);C08F220/14(20060101);C08F220/18(20060101);C08L51/08(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人赵琪

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2023-06-19 13:41:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C08F 283/12 专利申请号:202111133139X 申请公布日:20211210

    发明专利申请公布后的驳回

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