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磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法

摘要

本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩,样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中,各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4,第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2,磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体,内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反,所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸,同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚,这样可以有效提高等离子体的溅射纵深,进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN113774351A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉中维创发工业研究院有限公司;

    申请/专利号CN202111316908.X

  • 发明设计人 谭志;

    申请日2021-11-09

  • 分类号C23C14/35(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人秦冉冉

  • 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大道473号光谷新发展国际中心写字楼B座第5、6层05-108室

  • 入库时间 2023-06-19 13:41:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    授权

    发明专利权授予

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