公开/公告号CN113782434A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN202110924157.3
发明设计人 李勇;
申请日2021-08-12
分类号H01L21/336(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人戴广志
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2023-06-19 13:40:20
机译: 通道熔覆的最后工艺流程,用于在FinFET器件上形成具有减小尺寸的fin的FinFET器件上的通道区域
机译: 形成FinFET半导体器件以减小穿通漏电流的方法以及所得器件
机译: 具有在减小的源极/漏极区域上形成的材料的FinFET器件及其形成方法