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一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法

摘要

本发明公开了一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法,步骤为:将二维材料制备或者转移到不同类型衬底上,利用二维材料与衬底界面的夹持效应调控其压电性能;将二维材料暴露在离子辐照源下,基于离子辐照技术进一步调控二维材料纳米片的压电性能。本发明利用衬底和辐照调控二维材料压电性能,通过获得不同衬底上二维材料厚度、施加电压与振幅的关系,有效获得二维材料的压电常数。利用衬底和辐照调控二维材料压电性能,促进二维材料应用于薄机电耦合器件领域中,并根据实际需要调控压电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113782667A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN202111080675.8

  • 发明设计人 侯鹏飞;张一鸣;欧阳晓平;

    申请日2021-09-15

  • 分类号H01L41/253(20130101);H01L41/257(20130101);B82Y15/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人崔自京

  • 地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学

  • 入库时间 2023-06-19 13:40:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-11-14

    授权

    发明专利权授予

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