半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备

摘要

本发明提供一种半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备，该装置包括进气管，第一管段包括第一管壁和嵌套在第一管壁中的第二管壁，且第一管壁的内壁与第二管壁的外壁之间构成缓冲空间；在第一管壁上沿竖直方向均匀分布有多个第一气孔，第一气孔分别与缓冲空间和工艺腔室相连通；在第二管壁上设置有多个第二气孔，第二气孔分别与第二管壁的内部和缓冲空间相连通；第二管壁的内径在竖直方向上的变化规则和/或多个第二气孔的排布规则满足：使经由多个第二气孔流入缓冲空间中的工艺气体在竖直方向上不同位置处的出气量相同。本发明的技术方案可以保证不同晶圆能够获得均匀的气体量，进而可以保证晶圆成膜的厚度均匀性及工艺结果一致性。