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单晶体管双电容器非易失性存储器单元

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摘要

本发明涉及单晶体管双电容器非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括存储器晶体管。第一电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器被耦接到存储器晶体管。第二电容器包括第一电极和第二电极。第一电容器和第二电容器连接到分隔开的输入端子。

公开/公告号CN113764427A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07

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申请/专利权人格芯新加坡私人有限公司;
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申请/专利号CN202110600247.7
发明设计人蔡新树;王蓝翔;孙永顺;卓荣发;陈学深;
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申请日2021-05-31
分类号H01L27/11521(20170101);H01L23/64(20060101);G11C16/04(20060101);G11C5/10(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人贺月娇;牛南辉
地址新加坡新加坡市
入库时间 2023-06-19 13:37:05

1. 存储器单元、双晶体管单电容器存储器单元阵列、形成双晶体管单电容器存储器单元阵列的方法及用于制造集成电路的方法 [P] . 中国专利： CN110192280A . 2019-08-30
2. 单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案 [P] . 中国专利： CN114078867A . 2022-02-22
3. ONE TRANSISTOR TWO CAPACITORS NONVOLATILE MEMORY CELL [P] . US2021384204A1 . 2021-12-09

机译：一个晶体管两个电容器非易失性存储器单元
4. Non-volatile memory using field effect transistors having dual floating gates for storing two bits per cell [P] . 美国专利： US5841693A . 1998-11-24

机译：使用具有双浮栅的场效应晶体管的非易失性存储器，每个单元用于存储两位
5. Vertical two-transistor single capacitor memory cells and memory arrays [P] . US11094697B2 . 2021-08-17

机译：垂直双晶体管单电容器存储器单元和内存阵列