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一种温度稳定的改性NiO-Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种温度稳定的改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。利用离子掺杂改性形成固溶体结构是调节微波介电性能,尤其是调节温度稳定性的重要措施。本发明基于固溶体的形成规则,考虑在NiTa2O6陶瓷中引入Ni2+与Ta5+离子在相同配位环境下(配位数CN=6)具有相近离子半径的阳离子掺杂,包括了设计Ni2+离子被Cu2+离子取代,(Ni1/3Ta2/3)4+复合离子被复合离子[(Al1/2Nb1/2)ySn1‑y]4+取代的方式,从而获得NiTa2O6固溶体结构的陶瓷材料,并通过调节各掺杂离子的摩尔含量,最终制备出了一种具有优异温度稳定性且低损耗的微波介质陶瓷材料,微波介电性能优越。

著录项

  • 公开/公告号CN113896530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202111292699.X

  • 发明设计人 曲明山;邢孟江;杨鸿宇;

    申请日2021-11-03

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/63(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 13:35:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-29

    授权

    发明专利权授予

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