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用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型

摘要

本文档描述了生成点源模型以用于模拟来自天线结构的近场效应的技术和系统。该技术和系统基于从电磁模拟中提取的近场值,生成天线阵列的有源元件以及在某些情况下无源元件的相应远场辐射图案。远场辐射图案考虑了有源元件和天线结构之间的电磁相互作用,天线结构可以包括天线阵列的无源元件。该技术和系统输出远场辐射图案,该远场辐射图案对于使用渐近数值方法模拟天线阵列和至少一个相互作用结构之间的电磁相互作用是有效的。使用所描述的点源模型,工程师能够针对天线阵列的各种配置和应用快速且准确地模拟天线阵列与相互作用结构之间的电磁相互作用。

著录项

  • 公开/公告号CN113901634A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安波福技术有限公司;

    申请/专利号CN202110766504.4

  • 发明设计人 B·F·坎普斯拉加;

    申请日2021-07-07

  • 分类号G06F30/20(20200101);H01Q21/00(20060101);G06F111/10(20200101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人徐倩;钱慰民

  • 地址 巴巴多斯圣米迦勒

  • 入库时间 2023-06-19 13:35:32

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