公开/公告号CN113889163A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利号CN202111485264.7
申请日2021-12-07
分类号G11C11/16(20060101);
代理机构11283 北京润平知识产权代理有限公司;
代理人何智超
地址 102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
入库时间 2023-06-19 13:32:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
授权
发明专利权授予
机译: 用于磁随机存取存储器(MRAM)的双磁隧道结器件
机译: 具有使用磁隧道结(MTJ)器件的读写电路的磁随机存取存储器
机译: 具有V形磁隧道结曲线的嵌入式磁阻随机存取存储器件