公开/公告号CN113889421A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 恩智浦美国有限公司;
申请/专利号CN202110709079.5
申请日2021-06-25
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人孙尚白
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 13:32:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 专利申请号:2021107090795 申请日:20210625
实质审查的生效
机译: 在绝缘体上硅(SOI)结构中形成和平坦化深隔离沟槽的方法
机译: 形成适用于绝缘体上硅(SOI)衬底的浅沟槽隔离和深沟槽隔离(SDTI)的方法
机译: 用于检测深沟隔离和SOI缺陷的筛选方法和装置