公开/公告号CN113856744A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国环境科学研究院;
申请/专利号CN202111301885.5
申请日2021-11-04
分类号B01J29/40(20060101);B01J29/46(20060101);B01J29/48(20060101);B01J35/10(20060101);B01D53/86(20060101);B01D53/72(20060101);B01D53/70(20060101);B01D53/44(20060101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人申星宇
地址 100012 北京市朝阳区安外大羊坊8号
入库时间 2023-06-19 13:30:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-19
授权
发明专利权授予
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 一种具有防偏移层的定影转子,所述防偏移层包含中空的双壳导电物质