首页> 中国专利> 一种控制氮掺杂单晶硅中氮含量的方法、装置及介质

一种控制氮掺杂单晶硅中氮含量的方法、装置及介质

摘要

本发明实施例公开了一种控制氮掺杂单晶硅中氮含量的方法、装置及介质;该方法可以包括:根据拉制晶棒的初始提拉速度和初始籽晶转速,获取有效分凝系数;根据所述有效分凝系数、提拉速度与籽晶转速之间的对应关系,通过当前提拉速度获取当前籽晶转速修正值;按照所述当前籽晶转速修正值对籽晶的旋转速度进行修正,得到修正后的籽晶转速;控制所述籽晶按照所述修正后的籽晶转速进行旋转。

著录项

  • 公开/公告号CN113846377A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安奕斯伟材料科技有限公司;

    申请/专利号CN202111153078.3

  • 发明设计人 兰洵;

    申请日2021-09-29

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/04(20060101);C30B15/20(20060101);C30B15/30(20060101);

  • 代理机构61253 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李斌栋;沈寒酉

  • 地址 710065 陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室

  • 入库时间 2023-06-19 13:27:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-28

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B29/06 专利申请号:2021111530783 变更事项:申请人 变更前:西安奕斯伟材料科技有限公司 变更后:西安奕斯伟材料科技股份有限公司 变更事项:地址 变更前:710065 陕西省西安市市辖区高新区西沣南路1888号1-3-029室 变更后:710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室

    著录事项变更

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