非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜及其制备方法。非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜包括如下原子百分比组分：钛：20～35％；锆：20～35％；钒：20～35％；铜：2.0～8.0％；余量为杂质。非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜的制备方法包括如下步骤：在基体材料上采用磁控溅射方法沉积形成Ti、Zr、V、Cu四种元素的致密层薄膜。上述非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜，Cu元素的加入是导致该薄膜具有较低电阻率，薄膜激活温度<180℃，真空阻抗低，能够满足同步辐射光源应用需求。