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一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路

摘要

本发明具体涉及一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路。其技术方案是:浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由四个电流传输器和五个阻抗元件组成,结构简单,在不改变电路拓扑结构的情况下,通过改变第一阻抗元件(3)、第二阻抗元件(5)、第三阻抗元件(1)、第四阻抗元件(6)和第五阻抗元件(8)的元件类型,能将任意一种接地型分数阶记忆元件转换成任意一种浮地型分数阶记忆元件,通用性强;浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在端子A和端子B之间施加激励电压信号v(t)后,能够保证端子A的电流i1(t)和端子B的电流i2(t)相等,使用时浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和端子B都能与其他电路中的元件进行任意连接,灵活性高。

著录项

  • 公开/公告号CN113705134A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉科技大学;

    申请/专利号CN202110988802.8

  • 发明设计人 尚涛;甘朝晖;余磊;

    申请日2021-08-26

  • 分类号G06F30/32(20200101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张火春

  • 地址 430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号

  • 入库时间 2023-06-19 13:24:42

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