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公开/公告号CN113711127A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社V技术;
申请/专利号CN202080029340.0
发明设计人 麻籍文;吉本芳幸;
申请日2020-04-07
分类号G03F7/20(20060101);G02B5/08(20060101);
代理机构11464 北京奉思知识产权代理有限公司;
代理人邹轶鲛;石红艳
地址 日本神奈川
入库时间 2023-06-19 13:23:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-29
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2020800293400 申请日:20200407
实质审查的生效
机译: 近场曝光用掩模,近场曝光用掩模的制造方法,近场曝光装置以及使用该掩模的近场曝光方法
机译: 带多层膜的基板,曝光用反射型掩模坯料,曝光用反射型掩模及其制造方法以及半导体装置的制造方法
机译: 曝光用掩模的制造方法,曝光用掩模以及半导体装置的制造方法
机译:主动Q开关激光用新型ND:YAG / YAG多边形主动镜
机译:表面态介导的铁氧化物的近红外双光子荧光用于非线性光学显微镜
机译:电沉积和电抛光用于透射电子显微镜的横截面金属样品制备
机译:外腔量子点激光用硅光子镜波导镜,具有800 GHz通道间距的四波长同时振荡
机译:下一代望远镜仪器中MEMS可变形反射镜的制造工艺。
机译:像素编码曝光用于使用数字微镜设备相机进行高速和高分辨率成像
机译:旋转镜调Q的Er:YAG激光用于光动力学研究
机译:用于测试X射线望远镜的掠射入射镜系统的方法和装置