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减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤

摘要

提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后,通过恢复平坦直接接合表面,制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破坏的探测焊盘表面上填充一系列金属以及氧化物,并且构建电介质表面以及用于混合接合的互连件。互连件可以被连接到探测焊盘和/或衬底的其他电接触。层结构被描述用于增加所得直接接合处理的产出以及可靠性。另一处理在倒数第二金属化物层上构建探测焊盘,并且施加直接接合电介质层以及金属镶嵌处理而不增加掩模层的计数。另一示例性处理以及相关的层结构将探测焊盘凹陷到较低的金属化物层并且允许在探测焊盘上的凹腔。

著录项

  • 公开/公告号CN113711344A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊文萨思粘合技术公司;

    申请/专利号CN202080030123.3

  • 发明设计人 G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹;

    申请日2020-04-14

  • 分类号H01L23/00(20060101);H01L23/532(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人马明月

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 13:23:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/00 专利申请号:2020800301233 申请日:20200414

    实质审查的生效

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