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第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体

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摘要

本发明涉及一种第三层叠体(19)的制造方法，其中，工件(14)的一个面为电路面(14a)，另一个面为背面(14b)，背面保护膜形成用膜(13)的一个面为平滑面(13b)，另一个面为比平滑面(13b)粗糙的粗糙面(13a)，所述制造方法依次包括：将背面保护膜形成用膜(13)的粗糙面(13a)朝向工件(14)的背面(14b)进行贴附的第一层叠工序；及在背面保护膜形成用膜(13)的平滑面(13b)上贴附支撑片(10)的第二层叠工序。

著录项

公开/公告号CN113692352A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人琳得科株式会社;
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申请/专利号CN202080026612.1
发明设计人上道厚史;根本拓;中石康喜;古野健太;
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申请日2020-04-24
分类号B32B27/16(20060101);B32B7/025(20190101);B32B7/04(20190101);H01L23/00(20060101);B23K26/00(20140101);B32B15/08(20060101);H01L21/301(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人张晶;谢顺星
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 13:21:35

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