GaN基板晶片和GaN基板晶片的制造方法

摘要

本发明提供GaN基板晶片及其制造方法，其可优选用于在具有通过掺杂而增加的载流子浓度的GaN基板上设有器件结构的氮化物半导体器件的制造，具有改良的生产率。一种GaN基板晶片，其是(0001)取向的GaN晶片，其具有设于N极性侧的第一区域以及设于Ga极性侧的第二区域且该第一区域与该第二区域之间夹着再生长界面，该第二区域的最小厚度为20μm以上300μm以下，该第二区域包含供体杂质总浓度比该第一区域高的区域。第二区域中，将从该GaN基板晶片的Ga极性侧的主面起特定长度以内的区域定义为主掺杂区域，可以按照至少该主掺杂区域中的供体杂质的总浓度为1×1018atoms/cm3以上的方式对该第二区域进行掺杂。