应用于半导体装置的高强度氧化锆－氧化铝复合陶瓷基板及其制造方法

摘要

本发明提出了一种应用于半导体装置的高强度氧化锆－氧化铝复合陶瓷基板，将氧化铝、氧化锆及自制合成的添加助剂三种起始粉体，在室温下，于有机溶剂中，进行球磨混合分散，再经调制浆料步骤、除气步骤、生胚成型步骤、冲片步骤、计算步骤及烧结步骤等步骤所制得，而具备优异三点抗折强度＞600MPa机械性能、热传导率＞26W/mK、绝缘特性＞1014Ω·cm与低表面漏电流(150℃)＜200nA等热电性质者。