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公开/公告号CN113670848A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院;
申请/专利号CN202110964970.3
发明设计人 王日德;常超;孙郎;王佳艺;焦亚楠;马兆福;娄菁;乔智;
申请日2021-08-23
分类号G01N21/3581(20140101);
代理机构12259 天津朗熠知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘杨
地址 100071 北京市丰台区丰台东大街53号
入库时间 2023-06-19 13:20:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-02
授权
发明专利权授予
机译: 基于单行进载流光电探测器,太赫兹发生器和太赫兹探测器的太赫兹生成系统
机译: 基于单行进载波光电探测器的太赫兹生成系统,太赫兹生成装置和太赫兹检测装置
机译: 用于太赫兹图像传感器的太赫兹图像传感器的像素阵列结构及其制造方法和包括该太赫兹图像传感器的图像设备
机译:太赫兹高分辨率宽带聚焦金属表面基于凸面结构
机译:基于石墨烯像素的极化不敏感元表面,用于几乎完美和宽带太赫兹吸收(Vol 36,PG F84,2019)
机译:基于石墨烯像素的极化不敏感元表面,用于几乎完美和宽带太赫兹吸收
机译:基于汞-碲-碲化物MSM结构的太赫兹光电探测器在低温下的性能
机译:基于砷化铟镓/磷化铟和氮化铝镓/氮化镓HEMT中二维电子气中的等离激元激发的可调太赫兹探测器。
机译:基于杂交石墨烯 - DIRAC半型结构的双调谐宽带太赫兹吸收器
机译:新型太赫兹频谱仪,集成了广泛可调谐的单色太赫兹光源和探测器,或发射器和探测器阵列,带有光子带隙晶体