公开/公告号CN113673038A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;中国人民解放军96755部队;
申请/专利号CN202111030116.6
申请日2021-09-03
分类号G06F30/15(20200101);G06F30/20(20200101);B64F5/00(20170101);G06F119/20(20200101);
代理机构43225 长沙国科天河知识产权代理有限公司;
代理人彭小兰
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2023-06-19 13:20:03
机译: 基于域壁的自旋MOSFET,基于域壁的模拟存储器,非易失性逻辑电路和磁性神经元
机译: 基于域壁的自旋MOSFET和基于域壁的模拟存储器
机译: 光学系统用于在宽壁变窄的壁中燃烧