具有双字线控制的ReRAM存储器单元

摘要

本发明公开了一种ReRAM存储器单元，该ReRAM存储器单元包括ReRAM装置，该ReRAM装置包括设置在第一离子源电极和第二电极之间的固体电解质层；和选择电路，该选择电路包括与ReRAM装置串联连接的两个串联连接的选择晶体管，该两个串联连接的选择晶体管中的每个选择晶体管具有连接到单独控制线的栅极。