机译:具有异步双字线控制的单位线8T SRAM单元,用于位交错的超低压操作
National Cheng Kung University, Taiwan;
National Cheng Kung University, Taiwan;
asynchronous machines; CMOS integrated circuits; control engineering computing; integrated circuit design; low-power electronics; machine control; SRAM chips;
机译:具有交叉点数据感知写入字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM
机译:采用14 nm FinFET技术的单位线7T SRAM单元,用于近阈值电压操作,具有增强的性能和能量
机译:紧凑的测量方案,用于位线摆动,感测放大器失调电压和字线脉冲宽度,以表征40 nm全功能嵌入式SRAM中的传感容限
机译:差分单端口8T SRAM位单元,具有可变容差和低电压操作
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:使用全NMOS电源开关和超低静态电流控制器的高压能量收集接口用于物联网系统中不规则的动能收集改进了1365%
机译:具有交叉点数据感知写字线结构,负位线和自适应读取操作时序跟踪的单端无干扰9T亚阈值SRAM