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快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法

摘要

本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法,包括如下步骤:(1)用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤;(2)对辐照后的LED芯片进行封装,检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度;(3)对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合,得到拟合曲线和/或拟合方程;根据所述拟合曲线和/或拟合方程预测LED器件的老化寿命;所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数。本发明采用快重离子辐照技术,在发光活性层只沉积能量且损伤程度可控,可在几分钟之内完成LED的老化实验,克服了传统应力老化试验耗时长、能耗高及实验过程复杂的缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN113655361A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院近代物理研究所;

    申请/专利号CN202110928544.4

  • 申请日2021-08-13

  • 分类号G01R31/26(20140101);G01R31/265(20060101);G01R31/44(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘鑫鑫

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区南昌路509号

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

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