具有电场钳位层的匀场器件及其制造方法和应用

摘要

本发明提供一种具有电场钳位层的匀场器件及其制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；由于硅的介电系数是二氧化硅的三倍，在相同漂移区长度下，介质层能够取得更大的电场，提高击穿电压。电场钳位层Ptop的引入带来了双电荷自平衡，MIS电极高电位辅助耗尽P型杂质，低电位辅助耗尽N型杂质，同时P型杂质和N型杂质之间可以相互耗尽，因此可以大大增大漂移区浓度，从而降低比导通电阻。同时，电场钳位层Ptop保证了耗尽的连续性，具有钳位表面电场的作用，使得在很宽的漂移区浓度内保持高的击穿电压，具有高容差性。