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一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法

摘要

一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法,采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备,本步骤如下:1)在镀膜机的靶头上分别安装一个Ti靶和Fe靶;2)将玻璃基底安装基底架上;3)开启磁控溅射设备给溅射室抽真空;4)向真空室通入O2和Ar的混合气体,使得真空室中的真空度为1Pa;5)开启溅射直流电源,分别在Ti靶Fe靶上施加电流和电压;6)打开基片的挡板,转动基片架,在基片上生长薄膜;7)溅射完成后,向真空室充入氮气,即可制得的目标产品。本发明的优点是:该工艺方法工艺简单、易于实施,制得的薄膜具有较高的室温磁电阻效应;生产成本低,适于大规模推广应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102345104B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN201110287569.7

  • 发明设计人 王晓姹;陈希明;杨保和;

    申请日2011-09-26

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);

  • 代理机构12002 天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯力

  • 地址 300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/35 授权公告日:20130306 终止日期:20130926 申请日:20110926

    专利权的终止

  • 2013-03-06

    授权

    授权

  • 2012-03-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20110926

    实质审查的生效

  • 2012-02-08

    公开

    公开

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