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防位线氧化的半导体存储器件制造方法及半导体存储器件

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摘要

一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中，在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层，如氮化层，以便阻止氧通过扩散进入位线结构中，从而防止位线的氧化。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/82 授权公告日:20031119 终止日期:20150212 申请日:19980212

专利权的终止
2003-11-19

授权

授权
2000-09-06

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1998-12-16

公开

公开

1. 防位线氧化的半导体存储器件制造方法及半导体存储器件 [P] . 中国专利： CN1128474C . 2003.11.19
2. 半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P] . 中国专利： CN108666319B . 2021.09.28
3. A semiconductor memory device having a capacitor cell on top of a bit line having multiple cylindrical accumulation electrodes offset from node contact, and a manufacturing method. [P] . 韩国专利： KR19980042454A . 1998-08-17

机译：一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件在位线的顶部具有电容器单元，该位线具有多个偏离节点接触的圆柱形累积电极。
4. A semiconductor memory device with an open - bit line - architecture and a method for controlling the of the bit lines of such a semiconductor memory device [P] . 德国专利： DE102006036602B4 . 2011-04-14

机译：具有开放位线架构的半导体存储器件以及用于控制这种半导体存储器件的位线的方法
5. Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices [P] . 美国专利： US7324395B2 . 2008-01-29

机译：具有开放位线架构的半导体存储器件以及控制这种半导体存储器件的位线的方法