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公开/公告号CN108666319B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201710202971.8
发明设计人 梁宇成;
申请日2017-03-30
分类号H01L27/11556(20170101);H01L27/11582(20170101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人弋桂芬
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 12:33:37
机译: 半导体存储器件,制造半导体存储器件的方法,读取半导体存储器件的方法以及该半导体存储器件的写入方法
机译: X射线检测器,半导体存储器件,包括该半导体存储器件,测试半导体存储器件的方法和制造半导体存储器件的方法
机译: 制造半导体存储器件的方法,半导体存储器件结构,半导体存储器件以及操作半导体存储器件的方法
机译:通过粘合光刻技术在柔性基板上制造的基于金属纳米间隙的无半导体非易失性电阻式开关存储器件
机译:具有包裹式控制栅结构的新型2位/单元金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体半导体存储器件可实现源侧热电子注入
机译:用于非晶氧化物半导体薄膜晶体管存储器件的优异原子层沉积技术
机译:基于并五苯半导体和聚(甲基丙烯酸甲酯)/石墨烯量子点复合陷阱层的非易失性有机晶体管存储器件
机译:多晶硅-氮氧化物-氧化硅(SONOS)非易失性半导体存储器件的设计,制造和表征。
机译:通过模板化的自下而上生长制造的自组装纳米结构的电阻式开关存储器件
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成