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公开/公告号CN113622018A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 奥趋光电技术(杭州)有限公司;
申请/专利号CN202110906303.X
发明设计人 吴亮;赵寅廷;王琦琨;雷丹;李哲;黄嘉丽;张刚;
申请日2021-08-09
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构33401 杭州宇信联合知识产权代理有限公司;
代理人梁群兰
地址 311100 浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室
入库时间 2023-06-19 13:12:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-01
授权
发明专利权授予
机译: 同时生长一种以上SiC单晶的物理气相传输生长系统及其生长方法
机译: 同时生长一种以上SIC单晶的物理气相传输生长系统及其生长方法
机译: 物理气相传输法生长碳化硅单晶并原位退火碳化硅单晶的工艺
机译:通过物理气相传输法生长碘化汞单晶:新型“单热”炉的开发通过实验室硬X射线法进行无损体积表征
机译:氮掺杂对物理气相传输生长4H-SiC单晶性能的影响
机译:物理气相传输法研究SiC单晶生长的种子极性
机译:物理气相传输生长的氮掺杂4H-SiC单晶的性能
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长结晶氧化铝和氮氧化钛薄膜。
机译:通过物理气相沉积法生长的单晶层状V2O5纳米线中的光电导
机译:化学气相传输法生长的β-FeSi2单晶的脉冲强磁场下的磁光研究
机译:微重力下物理气相传输生长硒化锌单晶