用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制

摘要

描述了一种用于相对于氮化硅选择性等离子体蚀刻氧化硅的方法。该方法包括提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底，以及通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜：a1)将该衬底暴露于含有碳、硫或碳和硫两者的等离子体激发的钝化气体，其中该等离子体激发的钝化气体不含氟或氢，以及b1)将该衬底暴露于含有含氟气体的等离子体激发的蚀刻气体。该方法可以进一步包括在a1)与b1)之间的额外步骤a2)：将该衬底暴露于含有氟碳气体、氢氟碳气体、氢氯碳气体、氢氯氟碳气体、或烃气体或其组合的等离子体激发的额外钝化气体。