公开/公告号CN113611681A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市芯愚公半导体有限公司;
申请/专利号CN202110812187.5
发明设计人 向晟;
申请日2021-07-17
分类号H01L23/49(20060101);H01L23/14(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/52(20060101);H01L23/62(20060101);H01L25/16(20060101);H01L25/18(20060101);
代理机构44808 深圳中恒科专利代理有限公司;
代理人解晓阳
地址 518100 广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区星河盛世A1-A6栋A3栋1单元611
入库时间 2023-06-19 13:09:01
机译: 平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构及其基于薄膜电子器件的平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性
机译: 一种制造包括多个氮化镓二极管的光电子器件的方法
机译: 一种具有高孔或电子传输性,膜稳定性,热安全性和高三重激发态能量的有机光电子器件,包括相同的有机发光二极管和包括/的显示装置的化合物