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一种基于双二极管IGBT模块的电子器件

摘要

本发明公开了一种基于双二极管IGBT模块的电子器件,包括器件主体、辅助端子和微处理器,器件主体的顶部设有主端子,主端子的一侧固定安装有辅助端子,器件主体的顶部安装有IGBT芯片,器件主体的正部安装有FWD芯片,FWD芯片的另一侧固定安装有金属基;微处理器与IGBT驱动电路电性连接,微处理器与过压保护电路电性连接,微处理器进行控制IGBT驱动电路,IGBT驱动电路位于主电路和控制模块之间,其用来对控制模块的信号进行放大,过压保护电路包括压敏电阻和抗雷击瞬态电压抑制器,当端电压超过某一值时,压敏电阻就会急剧减小,从而将瞬态过电压抑制,使得能够高效放大控制电路使其能够驱动功率晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN113611681A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市芯愚公半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110812187.5

  • 发明设计人 向晟;

    申请日2021-07-17

  • 分类号H01L23/49(20060101);H01L23/14(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/52(20060101);H01L23/62(20060101);H01L25/16(20060101);H01L25/18(20060101);

  • 代理机构44808 深圳中恒科专利代理有限公司;

  • 代理人解晓阳

  • 地址 518100 广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区星河盛世A1-A6栋A3栋1单元611

  • 入库时间 2023-06-19 13:09:01

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