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基于频率选择表面理论的电阻型高频辐射吸收体结构及其辐射抑制装置

摘要

本发明旨在于提供一种基于频率选择表面理论的电阻型高频辐射吸收体结构及其辐射抑制装置,此种吸收体结构可以有效的抑制封装中吸收体工作频段的电磁辐射,从而有效的解决芯片封装中的电磁辐射超标的问题。包括呈周期性排布的吸收体单元,每个吸收体单元从下到上依次为底层金属层、中间介质层和上层图案层,上层图案层由金属图案和贴片电阻组成,金属图案与贴片电阻构成完整的闭合通路。

著录项

  • 公开/公告号CN113612033A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海宁利伊电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202110868245.6

  • 发明设计人 李尔平;邢家琦;梁星磊;

    申请日2021-09-30

  • 分类号H01Q17/00(20060101);H01Q15/00(20060101);

  • 代理机构33251 嘉兴海创专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑文涛

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室

  • 入库时间 2023-06-19 13:09:01

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