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一种超低温烧结微波介质材料Zn2V2O7及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体提供一种超低温烧结微波介质材料Zn2V2O7及其制备方法,用以解决现有焦钒酸盐体系电子陶瓷的烧结温度偏高、均无法实现超低温烧结的问题。本发明提供的超低温烧结微波介质材料的化学式为:Zn2V2O7,微观结构为单斜晶体结构的Zn2V2O7晶相,能够实现焦钒酸盐体系电子陶瓷在680~740℃下的超低温烧结,且具有优良的微波介电性能:介电常数为8.6~9.7、Q×f值为15000~24000GHz、谐振频率温度系数为‑93~‑54ppm/℃;并且,该超低温烧结微波介质材料相对密度大、晶粒生长均匀、原子堆积率高、微观结构致密,从而获得了低的介电损耗;另外,该超低温烧结微波介质材料制备工艺简单、生产成本低,有利于实现工业化生产。

著录项

  • 公开/公告号CN113582690A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202110776968.3

  • 发明设计人 李波;曹慧敏;韩如意;

    申请日2021-07-09

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人甘茂

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 13:07:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    授权

    发明专利权授予

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