公开/公告号CN113594228A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110845428.6
申请日2021-07-26
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/47(20060101);H01L21/329(20060101);H01L29/872(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 13:05:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2021108454286 申请公布日:20211102
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极,该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
机译: 铝氮化镓三元合金层和第二III氮化物三元合金层具有异质结的半导体器件
机译: 具有氮化铟镓三元合金层和第二Ⅲ-氮化物三元合金层的异质结的半导体器件