公开/公告号CN113594229A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110845441.1
申请日2021-07-26
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 13:05:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-21
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/06 专利申请号:2021108454411 申请公布日:20211102
发明专利申请公布后的驳回
机译: 具有用于高功率应用的内部场板的氮化镓高电子迁移率晶体管
机译: 具有用于高功率应用的内部场板的氮化镓高电子迁移率晶体管
机译: 具有氮化铝镓表面层的氮化镓基肖特基势垒二极管