共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管

摘要

本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及共集成的高压器件和中压器件及其制造方法。该结构包括：衬底，其具有绝缘体上半导体(SOI)区域和体区域；以及第一器件，其形成在体区域上，该第一器件具有第一栅极电介质层和围绕第一电介质层的第二栅极电介质层，第一栅极电介质层和第二栅极电介质层的厚度大于SOI区域的绝缘体层的厚度。