一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一YIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的YIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁/拓扑绝缘体异质结，可在300K时观察到反常霍尔效应。