一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法

摘要

本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层，S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔，S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面，于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法，淀积多晶硅牺牲层，刻蚀去除释放腔外的多晶硅，再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化，意料之外得到很好平坦化效果，显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。