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公开/公告号CN113597599A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 拉姆伯斯公司;
申请/专利号CN202080022330.4
发明设计人 F·韦尔;T·沃吉尔桑;M·米勒;C·威廉姆斯;
申请日2020-03-16
分类号G06F12/08(20160101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人马明月
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:04:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/08 专利申请号:2020800223304 申请日:20200316
实质审查的生效
机译: 具有模式寄存器可编程高速缓存策略的高速缓存同步DRAM架构
机译: 具有缓存模式的DRAM组件的系统应用
机译: 具有模式寄存器可编程缓存策略的高速缓存同步DRAM体系结构
机译:667 MHz逻辑兼容的嵌入式DRAM,具有用于高速片上高速缓存的非对称2T增益单元
机译:具有速度可扩展设计和可编程全速功能阵列BIST的750MHz 144Mb高速缓存DRAM LSI
机译:具有内部35.8 GB / s内存带宽的16 MB高速缓存DRAM LSI,用于同时进行读写操作
机译:基于带宽高速缓存的运动补偿架构,具有DRAM友好的数据访问控制
机译:具有不对称兴奋远端部件的横向抑制型神经领域的活动模式
机译:具有无线Fronthaul的高速缓存辅助C-RAN系统的Fronthaul和Edge Links的节能关节设计
机译:基于带宽的基于高速缓存的运动补偿架构,具有DRam友好的数据访问控制
机译:具有片上高速缓存的20 mIps峰值微处理器