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一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法

摘要

本发明属于IC的技术领域,尤其涉及一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法。模型包括依次设置且双向通信的master模块、EFLASH_CTRL模块、EFLASH_To_RAM模块,所述EFLASH_To_RAM模块的另一输出端还与RAM存储器连接。本发明中提到的TP IC的CPU核运行空间就是Eflash。由于Eflash在TP IC生产的时候是由Foundry厂直接提供的版图文件,而此文件不可以在FPGA平台上使用。所以本发明针对FPGA平台提出了基于FPGA的RAM资源搭建一个Eflash模型用于TP IC的FPGA验证。

著录项

  • 公开/公告号CN113569525A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥松豪电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202110705807.5

  • 发明设计人 张金磊;黃俊欽;

    申请日2021-06-24

  • 分类号G06F30/398(20200101);

  • 代理机构34119 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘勇

  • 地址 230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F区1幢1408

  • 入库时间 2023-06-19 13:02:24

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